Particle-Plus 超低壓電漿反應

粒子法等離子分析

粒子-PLUS是一個極好的模擬軟體以生成稀釋氣體等離子體非平衡等離子體的數值分析,已經組成的中性氣體的兩個模塊。此外,等離子體模塊中,但也可以計算,例如離子束通過磁控濺射或磁場中進行磁場分析彎曲。

到目前為止的應用實例為磁控濺射,PVD,等離子CVD,電容耦合等離子體(CCP),有這樣的一個電介質阻擋放電(DBD)。粒子-PLUS將能夠在很短的時間內就可以並行計算得到的結果。作為輸出數據,該等離子體密度分佈電子密度,離子密度,電子溫度分佈,離子溫度分佈,電位分佈(電勢分佈),能量通量,和粒子通量,能譜。

如果氣體密度是你考慮的狀態下超過幾百帕是等離子的分析, VizGlow請訪問。如果你考慮常壓等離子體分析電弧等離子是, VizArc請訪問。

模塊配置

等離子體模塊採用一個PIC(粒子在細胞)的方法,它是顆粒的方法之一,它能夠分析在低壓下的等離子體的行為。在PIC方法實際帶電粒子(電子,離子),我們將計算模擬粒子代表的行為。因此,電場,有可能通過移動模擬粒子在磁場中重現行為接近實際等離子體行為,它使模擬的硬非平衡等離子在正常的連續近似。此外,自偏壓當然的(自偏置)計算使等離子體模擬通過使用外部電路模型考慮了匹配電路。 

中性氣體模塊也能夠計算出蒙特卡羅直接的方法,它是顆粒的方法中的一個的氣體流量(DSMC)方法採用具有稀薄氣體(稀釋液)。氣體密度的中性氣體模塊計算出的結果可以反映等離子體模塊中。另外,從通過使用中性氣體模塊的血漿分析獲得興奮和游離基的生成分佈,激發物質和自由基的密度分佈的計算也是可能的。利用等離子體模塊的計算結果,有可能也以計算濺射粒子的行為。DSMC方法使用,它也可考慮在氣相濺射粒子的化學反應。

軟件名稱 模塊 主要特點
顆粒-PLUS 等離子模塊
  • *坐標軸
    • 二維笛卡爾坐標,三維軸對稱模型
  • *時間計劃
    • 含蓄
  • *物理模型
    • 利用等離子體粒子模型(PIC)
    • 外部磁場
    • 使用匹配盒外部電路模型
    • 顆粒間碰撞的反應:蒙特卡羅散射模型
    • 華爾街的反應:等離子體 - 壁相互作用模型構建
  • *主輸出數據
    • 電位分配
    • 電子離子的密度分佈
    • 電子離子的溫度分佈
    • 粒子通量和能量通量在牆上
    • 熱分佈
    • 電子離子的賦存分佈
    • 在電極和電介質累積電荷
    • 電子和離子向壁的能量譜
等離子解算器
 (水貨版本)
  • *並行通過的粒子分裂法(MPICH)
中性氣體模塊
  • *物理模型
    • 蒙特卡洛直接法(DSMC法)
    • 化學反應(總碰撞能量模型)
    • 行為計算濺射粒子的
  • *主輸出數據
    • 中性氣體的密度分佈
    • 中性氣體的溫度分佈
    • 中性氣體的流速分佈

案例分析

磁控濺射

通過使用包括一個磁場分析軟體模擬磁控管濺射是可能的。此外,濺射模塊中濺射粒子的排放還包括濺射,能量分析模型,可以計算出射角。另外,也可以由通過濺射模塊計算濺射粒子的行為,以獲得濺射粒子從所述靶的吸附分佈。有這樣的沉積速率的均勻性和膜通過磁控濺射作為應用例的評價。

等離子CVD

粒子-PLUS的中性氣體模塊將能夠處理阿崙尼烏斯形式的化學反應的數據。確定還產生自由基和激發態物質來計算等離子體行為用等離子體模塊,通過使用所生成的分發數據用中性氣體模塊的分配之後,有可能計算出激勵和游離基的行為。可以通過等離子體模塊和中性氣體模塊的組合地模擬等離子體CVD法。

電容耦合等離子體(CCP)

在粒子-PLUS具有使用匹配電路的外部電路模型。它能使等離子體分析通過使用外部電路模型考慮了匹配電路。作為一個應用實例CCP,2分頻共產黨,有這樣疊加2頻率的分析。

AC磁控濺射模擬

AC磁控濺射模擬 
等離子體密度

使用外部電路模型中共等離子體數值模擬

使用外部電路模型中共等離子體數值模擬 
等離子體密度

2頻率CCP等離子體數值模擬

2頻率CCP等離子體數值模擬 
等離子體密度



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