DSMC-Neutrals 稀薄氣體分析

三維稀薄氣體分析DSMC-中立

DSMC-中立蒙特卡羅直接的方法-使用是(DSMC直接模擬蒙特卡洛)三維稀薄氣體分析軟體。通過使用非結構化網格之類的常用的CAE分析軟還支持模擬的複雜的形狀。該軟的特點,是一個模擬稀薄氣體(稀釋液)的不能應用於流體模型為壓力是低的。蒙特卡洛方法的DSMC方法是以是,模擬粒子在計算該區域的行為,以便計算模型接近實際現象,浮力,重力,複雜的氣體,如納米粒子的行為在熱遷移,嚴重氣流它可以在不使用特殊的物理模型的流動來解決。它也是自由分子流區域,這並不考慮碰撞的可能的計算。另外,同樣地,流體模型,與阿雷尼厄斯型反應方程式的化學反應的計算也是可能的。因為它可以處理蒸發解吸和吸附顆粒的可應用於真空澱積或化學汽相沉積。此外,渦輪分子泵結構被移動(TMP -渦輪分子泵)排出模擬和通過,它也可以適用於這樣的行為的計算上的硬盤和窄流路計算滑塊的主要成就,化學氣相沉積(CVD -化學氣相沉積),真空蒸鍍有機EL(OLED -有機發光二極管),分子束外延-模擬的薄膜形成在半導體生產,例如(MBE分子束外延)是那裡。另外,檢查和電導和疏散時間疏散模擬也有這樣的記錄。其它的應用領域,以及沉積(CIGS膜)模擬在CIGS(CIS)太陽能電池最近已經指出的那樣,電弧離子鍍(AIP電弧離子鍍)等離子的氣體流中使用的設備,如有分析等。作為高壓力的計算,它在行為計算一個硬盤的滑塊的一個良好的記錄。 
 

結構體

軟體 模塊 主要特點
DSMC-中立 中性氣體求解
  • * 3D非結構網格
  • * DSMC方法
    • 彈性碰撞(VHS模型)
    • 非彈性碰撞(旋轉和振動)
    • 化學反應:TCE(總碰撞能量)模型
    • 離解反應
    • 分子交換反應
    • 重組反應(3碰撞)
    • 表面反應:粘著係數模型
    • 重力
    • 粒子模型
  • *主輸出數據
    • 密度分佈
    • 溫度分佈(平移溫度,轉動溫度,振動,溫度)
    • 的流速分佈
    • 其他
預處理
  • *六角主導網格
    • 四面體
    • 六面
    • 棱鏡
    • 金字塔
  • *利網
    • 網格的四面體只
  • *笛卡爾網
    • 六面體網格只對
後處理
  • * WF-查看
  • * EnSight
水貨版本
  • *塊 - 採用循環分裂
  • *編譯器:MPICH

案例分析

CIGS薄膜時,CIS膜(太陽能電池)

如CIGS膜和CIS薄膜用作太陽能電池板的膜。通常情況下,CIGS膜或CIS薄膜經常沉積在高真空區域,在這種條件下,在蒙特卡洛直接法(DSMC)是非常有效的評價的情況下)的沉積速度分佈和薄膜CIGS薄膜(CIS膜的均勻性的評價)
 

有機EL(OLED)的模擬

在最近幾年,它已成為有機EL用於顯示和照明。有機EL它常常沉積在高真空區域。一般有機材料的蒸發單元通常是一個相對解決作為壓力高自由分子流不能再現的膜分佈。該DSMC方法是一種非常有效的技術評價的情況下)的有機EL模擬,形狀的優化,膜沉積速率的均勻性,如成膜分佈的有機材料的溫度依賴性
 

分子束外延(MBE)模擬

分子束外延是真空蒸鍍法在其中晶體生長在高真空下。求解所述室的流體模型是一個高真空是困難的,DSMC方法是有效的仿真中的一個評價例)分子束細胞形狀的分子束外延模擬,沉積分佈的均勻性,濃度分佈等的優化
 

噴頭CVD(化學氣相沉積)

DSMC-中立由於可以考慮阿崙尼烏斯型的響應數據,就可以計算出的化學反應的考慮化學氣相沉積評價的情況下)的淋浴頭的形狀評價,基板溫度的影響,例如自由基分佈的評價
 

排氣模擬的真空泵

DSMC-中立以使用非結構化網格,它也是複雜的形狀的可能的計算。它可以模擬,例如,其連接到所述渦輪分子泵的管道的電導評價的情況下)的溫度和截面積的電導,氣藏的依賴性和去氣的效果
 

灰塵行為影響的污染

在DSMC-中立,阻力(電阻),熱遷移,它可以同時考慮重力。為了這個目的,它可以通過行為計算和灰塵的灰塵影響進行模擬的污染。熱遷移也被用於從所述光刻掩模的微粒的污染的保護。流體模型和自由分子流分析軟體分析是很難熱量計算的遷移是可能的DSMC-中立評估的情況下)的灰塵在室內的行為,污染的威懾由於熱遷移力,等等。
 

頭模擬硬盤

在最近幾年中,媒體的頭和硬盤的滑塊頭之間的距離是非常窄和數量[nm]的。另一方面,氣體流量是難以計算為激烈正常流體分析軟體的大密度梯度。DSMC-Neutlrals連這樣的壓力是較高的計算模型可以計算面積,以獲得一個短的時間計算結果,以縮小評價的情況下)的力作用在滑塊上,滑塊與介質(壓力,密度等)之間的氣體流
 

電弧離子鍍AIP(電弧離子鍍)

鍍設備中的電弧離子氣體壓力(AIP)是非常低的。DSMC-中立是可以計算的電弧離子鍍(AIP)在該裝置的氣流評估的情況下)的壓力分佈,密度分佈
 

高超聲速流動的稀

例如當人造衛星進入大氣層,它能夠計算圍繞超音速的對象的氣體的流動評價的情況下)圍繞一個物體的密度和溫度分佈,如化學反應的影響
 

激波

的影響很可能發生在稀薄氣體(稀釋液),在噴嘴的附近,例如腔室。

貝納德對流

在夾著像到對象存在時的溫度差的區域,對流,因為它不能發送溫度只有熱導率。


花灑模擬(1) 高超聲速稀釋流分析
花灑模擬,真空蒸鍍 高超音速稀釋流分析(真空)
花灑模擬(2) 有機EL(OLED)的模擬
花灑模擬(2) 的OLED(有機EL)模擬
衝擊波模擬 貝納德對流
衝擊波模擬(有機EL) 貝納德對流模擬(真空氣相沉積)

 



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