Ansys Q3D Extractor 面向電子元件的寄生參數提取

Ansys Q3D Extractor能夠根據電子元件的結構,進行電磁場計算、抽取寄生參數(電阻 R,電感 L,電容 C,電導 G),並生成SPICE/IBIS等效電路模型。隨著電子設備工作速度和整合化程度的不斷提高,系統中的反射、傳輸延遲、串擾和同步開關雜訊(SSN)等效應越來越顯著,必須對系統中封裝、連接器、過孔、線纜等複雜結構的電磁寄生效應進行精確的模擬,才能確保系統的工作性能。Ansys Q3D Extractor 採用邊界元素法,能夠基於結構形狀和材料特性,快速求解電磁寄生參數和Ansys結構/流體進行雙向耦合模擬。

 

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