【電漿製程模擬】先進半導體製程進化：電漿刻蝕與沉積模擬優化方案

｜微縮節點下的「不可見」製程挑戰

隨著半導體元件進入奈米級節點，製程的穩定性與良率高度依賴於對反應腔室內微觀物理行為的掌握。在刻蝕（Etching）與沉積（CVD / PECVD）製程中，電漿（Plasma）的表現直接決定了最終結果，但其機制具備高度非線性，且功率、壓力與氣體比例等參數之間存在強耦合。為了降低研發成本並縮短開發週期，我們提供了一套專門針對電漿與製程預測開發的運算解析解決方案，協助工程師從巨觀反應器設計到微觀粒子行為進行全方位掌握。

• 加速化學機制開發：支援多種關鍵製程氣體（如C₄F₆、Cl₂、NF₃、O₂ 等等）的化學反應路徑模擬。
• 設備與波形適配： 涵蓋 CCP、ICP 與 TCP 等主流電漿源，並支援多頻操作（如 Triple Frequency），能模擬連續波（CW）與脈衝（Pulse）條件下的任意電壓波形。
• 關鍵參數預測：工程師可快速且穩定地預測電子密度與溫度、離子/自由基的通量以及離子能量，從而顯著減少實驗室 DOE（設計實驗）的次數。

• 解決 HARC 結構挑戰：支援在奈米級尺度下對離子與自由基的傳輸建模，並預測製程中常見的曲折（bowing）、頸縮（necking）與蝕刻停止（etch stop）等問題。
• 整合表面反應模型：考慮了聚合物鈍化效應（Polymer Passivation Effect）以及負載效應（Loading Effect），確保模擬結果能真實反映蝕刻與沉積的輪廓演變。
• 強化 First-pass Success：透過大規模參數掃描，工程師能預見潛在缺陷並優化製程窗口，降低對實體試片與機台測試的依賴。